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行業(yè)動態(tài)
行業(yè)動態(tài)
背景技術(shù)：
目前使用的壓力/差壓傳感器封裝基座存在以下缺陷：1、2個或者2個以下充油管(孔)，只能封裝一個或兩個傳感器，且兩個傳感器中只能是一個通大氣(表壓)的方式，對精度要求高的場合，實(shí)際使用受限；2、只能用于帶膜盒的差壓傳感器，無法延用傳統(tǒng)壓力封裝工藝：快速電阻焊密封工藝，不可獨(dú)自做壓力傳感器基座。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提出一種傳感器基座，以提高其適用范圍。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的傳感器基座包括基座主體、側(cè)向通路、第一連接管和第二連接管，所述第一連接管的一端部插入基座主體內(nèi)，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第一連接管的一端部通過第一通路連通；所述第二連接管的一端部插入基座主體內(nèi)，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第二連接管的一端部通過第二通路連通；
所述基座主體內(nèi)開設(shè)有第三通路和第四通路，所述第三通路的一端部與第四通路的一端部相連通，所述第三通路的另一端部和第四通路的另一端部分別貫穿至基座主體的兩個端面；
所述基座主體的端面分別設(shè)置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔，所述第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔分別與第一通路、第二通路和第三通路連通；
所述側(cè)向通路位于基座主體內(nèi)，并與所述第一通路垂直連通。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體的兩個端面上還貫穿有多個耐壓絕緣引腳。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體的設(shè)置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔的端面向內(nèi)凹陷。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體與耐壓絕緣引腳之間設(shè)置有絕緣燒結(jié)填料。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)料槽，所述導(dǎo)料槽用于固定第一連接管和第二連接管。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第四通路的直徑大于第三通路的直徑，從而使第三通路11與第四通路12形成T型通路。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一通路的直徑大于第一連接管的內(nèi)徑，且所述第一連接管的外徑大于第一通路的直徑。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第二通路的直徑大于第二連接管的內(nèi)徑，且第二連接管的外徑大于第二通路的直徑。
本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，能同時封裝表壓，差壓，絕壓中的任意2種芯片，再加上多種溫度傳感器，可作為傳統(tǒng)擴(kuò)散硅表壓基座，也可做為復(fù)合多參數(shù)傳感器基座。在需要同時測量溫度，大氣壓，差壓的場合或者同時測量差壓和大氣壓和溫度的場合尤其適合。
目前使用的壓力/差壓傳感器封裝基座存在以下缺陷：1、2個或者2個以下充油管(孔)，只能封裝一個或兩個傳感器，且兩個傳感器中只能是一個通大氣(表壓)的方式，對精度要求高的場合，實(shí)際使用受限；2、只能用于帶膜盒的差壓傳感器，無法延用傳統(tǒng)壓力封裝工藝：快速電阻焊密封工藝，不可獨(dú)自做壓力傳感器基座。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提出一種傳感器基座，以提高其適用范圍。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的傳感器基座包括基座主體、側(cè)向通路、第一連接管和第二連接管，所述第一連接管的一端部插入基座主體內(nèi)，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第一連接管的一端部通過第一通路連通；所述第二連接管的一端部插入基座主體內(nèi)，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第二連接管的一端部通過第二通路連通；
所述基座主體內(nèi)開設(shè)有第三通路和第四通路，所述第三通路的一端部與第四通路的一端部相連通，所述第三通路的另一端部和第四通路的另一端部分別貫穿至基座主體的兩個端面；
所述基座主體的端面分別設(shè)置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔，所述第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔分別與第一通路、第二通路和第三通路連通；
所述側(cè)向通路位于基座主體內(nèi)，并與所述第一通路垂直連通。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體的兩個端面上還貫穿有多個耐壓絕緣引腳。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體的設(shè)置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔的端面向內(nèi)凹陷。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體與耐壓絕緣引腳之間設(shè)置有絕緣燒結(jié)填料。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基座主體內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)料槽，所述導(dǎo)料槽用于固定第一連接管和第二連接管。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第四通路的直徑大于第三通路的直徑，從而使第三通路11與第四通路12形成T型通路。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一通路的直徑大于第一連接管的內(nèi)徑，且所述第一連接管的外徑大于第一通路的直徑。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第二通路的直徑大于第二連接管的內(nèi)徑，且第二連接管的外徑大于第二通路的直徑。
本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，能同時封裝表壓，差壓，絕壓中的任意2種芯片，再加上多種溫度傳感器，可作為傳統(tǒng)擴(kuò)散硅表壓基座，也可做為復(fù)合多參數(shù)傳感器基座。在需要同時測量溫度，大氣壓，差壓的場合或者同時測量差壓和大氣壓和溫度的場合尤其適合。